取り扱いメーカー

詳細情報

Custom MMIC Design Services, Inc.
カスタム エムエムアイシー デザイン サービス

メーカ名 Custom MMIC Design Services, Inc.
所在地 300 Apollo Drive Chelmsford, MA 01824
TEL 978-467-4290
URL http://www.custommmic.com/

メーカー情報

米国Custom MMIC Design Services社(カスタムエムエムアイシー デザインサービス)は、2006年にファブレスマイクロ波専門LSI専業ベンダーとして設立。ISO認証を取得し工業、防衛、衛星搭載分野向けに低価格で高信頼性のMMIC製品を供給しております。同社は、世界最高水準のファンダリーを使用し優れた設計能力でお客様の高周波MMICのニーズにお応えしております。

取り扱い製品

Amplifiers / アンプ(増幅器)製品
  • LNA,ドライバアンプ,パワーアンプ,広帯域分布型アンプ
    ・業界最高水準のゲインフラットネス, ローノイズフィギュア,リニアティに加えポジティブゲインスロープ対応やシングルバイアス50Ω終端などのユニークな特徴を持ちます。
Control Device Products/コントロール系デバイス製品
  • スイッチと周波数変換製品群は業界最高水準の挿入損失/変換ロス,バンド幅, アイソレーション SPST から SP4Tスイッチやフェーズシフタ,電圧可変アッテネータが供給できます。
Mixer and Multiplier Products/ミキサーとマルチプライアデバイス
  • 高精度でローコンバージョンロスを実現しています。
  • ミキサーは、ラインナップが多数あり I/Q (I/R)ミキサーも商品群として提供しております。

製品情報

増幅器デバイス

MMICアンプ / MMIC Amplifiers

MMICアンプ / MMIC Amplifiers

RF /マイクロ波用高性能MMICアンプラインナップ

カスタムMMICは窒化ガリウム(GaN)ガリウム砒素(GaAs)ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)および高電子移動度トランジスタ(pHEMT)技術に精通しRF /マイクロ波業界最先端のMMICアンプを提供します。同社の集積回路(IC)エンジニアリングチームは革新的なMMICパワーアンプ(PA)、ローノイズアンプ(LNA)、低位相ノイズアンプ(LPNA)、分散アンプ、ドライバアンプを10年以上設計してきました。各デバイスは最も要求の厳しい防衛向け、宇宙および計測システムの為の品質要件のニーズを満たします。最先端のMMICファウンダリと緊密に連携して、幅広い半導体プロセスに対応した50GHzまでの製品でGaAsとGaNの性能と耐久性の限界を追及しています。

http://www.custommmic.com/all-amplifiers/

ローノイズアンプ / Low Noise Amplifier

ローノイズアンプ / Low Noise Amplifiers

ウルトラローノイズアンプ(LNA)MMICラインナップ

同社は低バイアス電圧電流で超ローノイズ・高利得、広帯域動作の厳しい設計要件を満たす高性能GaAs / GaN RF /マイクロ波超低ノイズ・アンプ(LNA)を開発しました。2〜45 GHz(L〜Qバンド)で利用可能な超小型ダイおよび小型QFNパッケージ製品があります。マイクロ波周波数でのノイズ・レベルは僅か1 dBと低いためGaAsおよびGaN MMIC LNAは高感度のSATCOM及びレーダー・アプリケーションに適し、高い信頼性が必要なRF /マイクロ波ミリタリーおよび航空宇宙用搭載用を想定して設計されています。加えLNAはシングルバイアス電圧供給で20dBmの入力電力条件を満たします。

http://www.custommmic.com/low-noise-amplifiers/

広帯域分布型アンプ/ Distributed Amplifier MMIC

広帯域分布型アンプ/ Distributed Amplifier MMIC

広帯域分布型MMICアンプ超広帯域向けの
RF /マイクロ波設計では唯一の選択肢

高ダイナミックレンジが要求される広帯域アプリケーションでは、同社の広帯域分布型アンプは品質と信頼性の両面で優れています。これら製品群分布型MMICアンプには正のゲインスロープとシングルバイアス製品を50Ω整合で提供します。その為追加で複雑なバイアス回路や整合回路が不要です。DC-50GHz(UHFからXおよびK、Vバンドまで)のカバレッジで提供可能です。

http://www.custommmic.com/distributed-amplifiers/

パワーアンプ / Power Amplifier MMIC

パワーアンプ / Power Amplifier MMIC

C X K KuおよびKaバンド向け
GaAs GaN MMICパワーアンプラインナップ

最先端RF /マイクロ波システム設計さらにサブアセンブリではサイズ制約があり、さらに従来技術よりも高い線形性の要求があります。同社はRF /マイクロ波システムの電力と直線性のニーズを満たし広帯域の小型ダイおよび表面実装(SMT)パッケージでGaAsおよびGaNパワーアンプ(PA)を提供に重点を置いています。50オーム整合された設計とシングルバイアス電源でPA向けのアンプを提供します。バイアスや整合回路を削減できるため低コストと省スペースを実現します。加えてこれらのデバイスは高出力、高いリニアリティ、高効率などの特徴があります。

http://www.custommmic.com/power-amplifiers/

ドライバーアンプ / Driver Amplifiers

ドライバーアンプ / Driver Amplifiers

ワイドバンド高利得が向け
RF回路設計用GaAsドライバアンプMMIC

同社は、GaAs MMICアンプを10年以上設計経験があり20〜40GHzの広帯域高性能のドライバアンプを提供し、小型で電力効率の良いデバイスです。MMICダイと表面実装(SMT)パッケージで提供可能で高ゲインと高帯域の仕様を満たします。同社のRFドライバアンプMMICの多くが50Ω整合で設計しシングルバイアス電源で動作します。さらにポジティブゲインスロープや低消費電力向けデバイスがあります。

http://www.custommmic.com/driver-amplifiers/

低位相ノイズアンプ / Low Phase Noise Amplifiers

低位相ノイズアンプ / Low Phase Noise Amplifiers

業界初New!!!低位相位相ノイズアンプ(LPNA)MMICレーダおよび低ジッタ装置計測通信機用途

位相雑音(ジッターとも呼ばれる)はデータの品質が損なわれ、軍用レーダやミサイルではターゲットの捕捉不良を招きデータリンクの実効ビットレート(BER)が急激に悪化する可能性があります。 この課題を解決するため同社は6〜40GHz(C、X、Ku、K、Kaバンド)のGaAs HBT RF /マイクロ波低位相雑音増幅器(LPNA)MMICを開発しました。低位相雑音(低ジッタ)の性能を10kHzのオフセットで-165dBc / Hzまで低減させる事に成功しました。このLPNA MMICは様々なフェーズドアレイレーダー、EW、軍用トランシーバ、通信機、計測器、航空宇宙および衛星搭載用のローカル発振器(LO)ドライバまたはレシーバアンプとして有用です。

LPNAの詳細は下記プレスリリースを参考にしてください。
低位相ノイズアンプMMICを用いたアプリケーションおよび設計革新に関する論文が近々公開される予定です。
下記の最新ニュースにご注目をお願いします。
Breakthrough GaAs MMIC Wideband Low Phase Noise Amplifier Family Delivers Extremely Low Phase Noise
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MMICアッテネータ / MMIC Attenuators

MMICアッテネータ / MMIC Attenuators

RF /マイクロ波用GaAs電圧可変アッテネータMMIC

同社は様々な高性能設計のニーズに合うGaAs技術による標準表面実装(SMT)パッケージドおよびダイ供給のRF /マイクロ波減衰器を開発しています。電圧可変で超広帯域の性能を持つアッテネータは優れた挿入損失で40GHz(Kバンド)動作保障可能。このRF /マイクロ波MMICは50オーム整合設計なのでポートマッチングが不要できわめて信頼性の高い搭載品が実現できます。チップサイズは2x2 mmと小型です。

http://www.custommmic.com/attenuators/

MMICミキサー / MMIC Mixers

MMICミキサー / MMIC Mixers

RF /マイクロ波設計用のC X K Kuバンド I/Q
およびIRM MMICミキサー

同社のRF /マイクロ波MMICミキサーは変換損失が低くLO-RF LO-IFポート間アイソレーション特性に優れ6〜32 GHz(C〜Ku帯域)の広い周波数帯域をカバーします。同社のエンジニアリングチームは、同相直交(I / Q)イメージ除去(IRM)基本ミキサー設計の専門能力でRF /マイクロウェーブ搭載システム設計者の為のMMICミキサーの要求に対するデバイス開発を行っています。 
デバイスはリードレス表面実装パッケージでアップコンバージョン及びダウンコンバージョンに使用可能でIRMおよびIQミキサーはイメージ除去及びシングルサイドバンドアップコンバータとして利用可能。 IQ / IRMミキサーは2つのダブルバランスミキサーセルと90度ハイブリッドで構成され基本ミキサーは外部ハイブリッドとパワースプリッターを備えたIRMとして使用できます。これらのMMICミキサーサイズ3×3mmと小型様々な周波数変換での要件を満たすことができます。

http://www.custommmic.com/mixers/

MMIC周波数逓倍器 / MMIC Multipliers

MMIC周波数逓倍器 / MMIC Multipliers

高アイソレーション性能なRF /マイクロは
アクティブ周波数逓倍器MMIC

同社は、GaAs MMICでパッシブ型周波数ダブラー及び50オーム整合のアクティブ周波数ダブラーを開発しています。RF /マイクロ波アクティブ周波数逓倍器は外部DCブロックおよびRFポート整合が不要で広帯域MMIC逓倍器ICはパッシブデバイスでは4GHz〜15GHz(C X Kuバンド)アクティブデバイスの場合は12GHz〜20GHz(Ku、Kバンド)の入力周波数帯域で高性能なデバイスです。最大17dBmの大電力に対応し小さなダイサイズで優れたFo 3Foアイソレーションを実現しています。

http://www.custommmic.com/multipliers/

MMIC位相器 / MMIC Phase Shifters

MMIC位相器 / MMIC Phase Shifters

最先端RF /マイクロ波回路設計用
MMICデジタル位相シフタ

同社の本製品は4ビットから5ビット構成の小型(4x4 mm)無鉛表面実装(SMT)パッケージ製品。2~17GHz(S、C、X、Kuバンド)の周波数帯域でこの位相シフタは0度〜360度の位相カバレッジで11.25度の低いビット分解能を提供します。これらのRF /マイクロ波MMIC位相シフタは位相誤差が小さく、挿入損失がきわめて低く設計されており50オームの整合設計なので外部DCブロックとRF整合回路は不要です。

http://www.custommmic.com/phase-shifters/

MMICスイッチ / MMIC Switches

MMICスイッチ / MMIC Switches

SPST、SPDT、SP3T、SP4T、SP5T
高性能RF /マイクロ波GaAs MMICスイッチ

同社はDCから28GHzまでの広範囲な周波数(L、S、C、X、Ku)の優れたスイッチ性能を提供します。SPST、SPDT、SP3T、SP4T、SP5T RF /K、Kaバンド用途)このMMICスイッチは、2ウェイ 4ウェイ 5ウェイの無反射と反射スイッチで挿入損失が低く、ポートアイソレーションに優れます。スイッチング速度は1.8 nsと高速。衛星搭載の為にロジック制御ラインの数を減らす目的でバイナリデコーダが内蔵の製品も用意しています。これらのMMICスイッチは、3×3mmまたは4×4mmのリードレス(表面実装)パッケージサイズを実現しています。

http://www.custommmic.com/switches/

I・M・C取り扱いメーカー一覧

アジャイルシーテック カスタム エムエムアイシー デザイン サービスディトムダイナウェーブエイチアールエル ラボラトリーズインスツルメンツ フォー インダストリーローガスマイクロウェーブマーキマイクロウェーブマサチューセッツベイテクノロジーズマイクロトロニクスミリメータウェーブプロダクツノースロップグラマンアールエフマイクロウェーブエンジニアリングアールエイチセイジミリメータソノマサイエンティフィックトラック東光電子テラセンスディベロップメントトランスコムUniversal Microwave Components CorporationビバテックAdant社エム・イー・エルミシアンモーデックモデリシック株式会社システムデザイン研究所

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